型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: 600V ， 75A场截止IGBT 600V, 75A Field Stop IGBT57641+￥48.950110+￥46.1415100+￥44.0551250+￥43.7341500+￥43.41311000+￥43.05202500+￥42.73105000+￥42.5304 -
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品类: IGBT晶体管描述: 汽车，符合 IGBT，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 系列 IGBT 符合 AEC-Q101 要求 ### 标准 AEC-Q101 ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。85355+￥34.008450+￥32.5550200+￥31.7412500+￥31.53771000+￥31.33422500+￥31.10175000+￥30.95647500+￥30.8110 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60B3D.. 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚19211+￥43.379510+￥40.8906100+￥39.0416250+￥38.7571500+￥38.47271000+￥38.15272500+￥37.86825000+￥37.6904 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 120A 3Pin TO-247 Tube48371+￥36.947710+￥34.8278100+￥33.2529250+￥33.0107500+￥32.76841000+￥32.49582500+￥32.25355000+￥32.1021 -
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。91475+￥28.855750+￥27.6226200+￥26.9320500+￥26.75941000+￥26.58672500+￥26.38945000+￥26.26617500+￥26.1428 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 3Pin TO-247 Tube37671+￥44.794710+￥42.2246100+￥40.3153250+￥40.0215500+￥39.72781000+￥39.39732500+￥39.10365000+￥38.9200 -
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品类: IGBT晶体管描述: 600V ，开关电源II系列N沟道IGBT与反并联二极管StealthTM 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode422710+￥6.6504100+￥6.3179500+￥6.09621000+￥6.08512000+￥6.04085000+￥5.98547500+￥5.941010000+￥5.9189 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY160T65SPD_F085 单晶体管, IGBT, N通道, 240 A, 1.6 V, 882 W, 650 V, TO-247, 3 引脚 新63321+￥97.899510+￥93.6430100+￥92.8768250+￥92.2809500+￥91.34451000+￥90.91882500+￥90.32295000+￥89.8122 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60UFTU 单晶体管, IGBT, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚456010+￥8.7504100+￥8.3129500+￥8.02121000+￥8.00662000+￥7.94835000+￥7.87547500+￥7.817010000+￥7.7879 -
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品类: IGBT晶体管描述: 43A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT80525+￥17.404950+￥16.6611200+￥16.2446500+￥16.14051000+￥16.03632500+￥15.91735000+￥15.84297500+￥15.7686 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 417000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AB Rail92751+￥43.717510+￥41.2091100+￥39.3457250+￥39.0591500+￥38.77241000+￥38.44992500+￥38.16325000+￥37.9840 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG20N60B3.. 单晶体管, IGBT, 40 A, 2 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 引脚84625+￥21.549150+￥20.6282200+￥20.1125500+￥19.98351000+￥19.85462500+￥19.70735000+￥19.61527500+￥19.5231 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH60N60SFTU 单晶体管, IGBT, 通用, 120 A, 600 V, 378 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚11855+￥22.323650+￥21.3696200+￥20.8354500+￥20.70181000+￥20.56822500+￥20.41565000+￥20.32027500+￥20.2248 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3Pin TO-247 Tube46775+￥21.371250+￥20.4579200+￥19.9465500+￥19.81861000+￥19.69072500+￥19.54465000+￥19.45337500+￥19.3620 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。79931+￥45.303510+￥42.7041100+￥40.7731250+￥40.4761500+￥40.17901000+￥39.84482500+￥39.54775000+￥39.3620 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。74775+￥28.723550+￥27.4960200+￥26.8086500+￥26.63681000+￥26.46492500+￥26.26855000+￥26.14587500+￥26.0230 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 系列 IGBT 符合 AEC-Q101 要求 ### 标准 AEC-Q101 ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。67575+￥22.771750+￥21.7986200+￥21.2536500+￥21.11741000+￥20.98112500+￥20.82545000+￥20.72817500+￥20.6308 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG12N60C3D 单晶体管, IGBT, 24 A, 1.8 V, 104 W, 600 V, TO-247, 3 引脚74641+￥38.921710+￥36.6885100+￥35.0295250+￥34.7743500+￥34.51901000+￥34.23192500+￥33.97675000+￥33.8172 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG12N60A4D 单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 引脚54035+￥17.582850+￥16.8314200+￥16.4106500+￥16.30541000+￥16.20022500+￥16.08005000+￥16.00487500+￥15.9297 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。6799 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。3606 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG18N120BND 单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚4023 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60C3D 单晶体管, IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚7983 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMD 单晶体管, IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚1110 -
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品类: IGBT晶体管描述: 600V ，开关电源II系列N沟道IGBT与反并联二极管StealthTM 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode6222
